領域選択MOCVD成長により製造した斬新な構造のMQW電場吸収変調器/DFBレーザ集積化素子

AOKI M; SANO H; SUZUKI M; TAKAHASHI M; UOMI K; TAKAI A

文献

J-GLOBAL ID：200902042464630356 整理番号：92A0009001

領域選択MOCVD成長により製造した斬新な構造のMQW電場吸収変調器/DFBレーザ集積化素子

Novel structure MQW electroabsorption modulator/DFB-laser integrated device fabricated by selective area MOCVD growth.

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巻： 27 号： 23 ページ： 2138-2140 発行年： 1991年11月07日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

InP基板上にEA変調器とDFBレーザ素子を同時に作り込む手...

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光集積回路,集積光学

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