文献
J-GLOBAL ID:200902042498512565   整理番号:88A0402790

高速熱焼なましにる(001)Si上のスパッタTi膜中のTiSi2形成に対する逆スパッタリングと非晶質Siキャッピング層の効果

Effects of backsputtering and amorphous silicon capping layer on the formation of TiSi2 in sputtered Ti films on (001)Si by rapid thermal annealing.
著者 (4件):
資料名:
巻: 63  号: 8 Pt1  ページ: 2778-2782  発行年: 1988年04月15日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
標記の問題を走査及び透過電子顕微鏡観察とAuger分光法によ...
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
,...
   続きはJDreamIII(有料)にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=88A0402790&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体-金属接触【’81~’92】 

前のページに戻る