高速熱焼なましにる(001)Si上のスパッタTi膜中のTiSi<sub>2</sub>形成に対する逆スパッタリングと非晶質Siキャッピング層の効果

CHEN L J; WU I W; CHU J J; NIEH C W

文献

J-GLOBAL ID：200902042498512565 整理番号：88A0402790

高速熱焼なましにる(001)Si上のスパッタTi膜中のTiSi₂形成に対する逆スパッタリングと非晶質Siキャッピング層の効果

Effects of backsputtering and amorphous silicon capping layer on the formation of TiSi₂ in sputtered Ti films on (001)Si by rapid thermal annealing.

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巻： 63 号： 8 Pt1 ページ： 2778-2782 発行年： 1988年04月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記の問題を走査及び透過電子顕微鏡観察とAuger分光法によ...

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半導体-金属接触【’81~’92】

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高速熱焼なましにる(001)Si上のスパッタTi膜中のTiSi2形成に対する逆スパッタリングと非晶質Siキャッピング層の効果

高速熱焼なましにる(001)Si上のスパッタTi膜中のTiSi₂形成に対する逆スパッタリングと非晶質Siキャッピング層の効果