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J-GLOBAL ID：200902043291908260   整理番号：91A0821086

化合物半導体の電着

Electrodeposition of Compound Semiconductor.

著者 (2件)： 大野いずみ (東京工大 工) ,  春山志郎 (東京工高専)
資料名： 日本金属学会会報  (Bulletin of the Japan Institute of Metals)
巻： 30  号： 9  ページ： 735-742  発行年： 1991年09月 
JST資料番号： F0163A  ISSN： 0021-4426  CODEN： NKZKAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 化合物半導体の電着機構を電気化学的立場から解説することを目的...

シソーラス用語： 化合物半導体 ,...

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分類 (2件)： 電極過程  (CB07040U) ,  電気めっき  (WC08023B)

引用文献 (52件)：

• (1) B. Miller and A. Heller: Nature, 262 (1976), 680.
• (2) A. S. Baranski, W. R. Fawcett, A. C. Macdonald and R. M. DeNobriga: J. Electrochem. Soc., 128 (1981), 963.
• (3) A. S. Baranski, W. R. Fawcett, K. Gatner and A. C. Mcdonald: J. Electrochem. Soc., 130 (1983), 579.
• (4) G. Hodes, J. Manassen and D. Cahen: Nature, 261 (1976), 403
• D. Silva and D. Haneman: J. Electrochem. Soc., 127 (1980), 1554.

タイトルに関連する用語 (2件)： 化合物半導体 ,  電着