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J-GLOBAL ID：200902044108635460   整理番号：92A0500862

表面赤外線分光によって調べたふっ化水素酸とふっ化アンモニウムで処理したシリコン表面形態

Morphology of hydrofluoric acid and ammonium fluoride-treated silicon surfaces studied by surface infrared spectroscopy.

著者 (5件)： NIWANO M (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TAKEDA Y (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  ISHIBASHI Y (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KURITA K (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MIYAMOTO N (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 71  号： 11  ページ： 5646-5649  発行年： 1992年06月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HFとNH₄Fの水溶液で処理したSi表...

シソーラス用語： 赤外吸収スペクトル ,...

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分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 赤外線分光 ,  ふっ化水素酸 ,  ふっ化アンモニウム ,  シリコン ,  表面形態