文献

J-GLOBAL ID：200902044683535302   整理番号：92A0168873

拡散促進方式のシリル化レジスト処理での気相と液相のシリル化の比較

Comparative study between gas- and liquid-phase silylation for the diffusion-enhanced silylated resist process.

著者 (3件)： BAIK K-H (Interuniversity Microelectronics Center(IMEC), Leuven, BEL) ,  VAN DEN HOVE L (Interuniversity Microelectronics Center(IMEC), Leuven, BEL) ,  ROLAND B (Interuniversity Microelectronics Center(IMEC), Leuven, BEL)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 9  号： 6  ページ： 3399-3405  発行年： 1991年11月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々の気相と液相のシリル化剤について比較実験を行い,ハードウ...

シソーラス用語： フォトレジスト ,...
準シソーラス用語： DESIRE

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=92A0168873&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=E0974A") }}

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  その他の高分子の反応  (CG03040H)

タイトルに関連する用語 (6件)： 拡散 ,  促進 ,  シリル化 ,  レジスト ,  気相 ,  液相