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J-GLOBAL ID：200902044710716462   整理番号：86A0159507

耐放射線強化素子研究の現状

Research trend of radiation hardened semiconductor devices.

著者 (2件)： 後川昭雄 (宇宙科研) ,  大西一功 (日本大理工)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 55  号： 3  ページ： 225-233  発行年： 1986年03月 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体デバイスの放射線損傷の基礎的理解から始め,バイポーラ型...

シソーラス用語： レビュー ,...

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分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

引用文献 (51件)：

• 1) 後川昭雄:日本の科学と技術 25 (1984) 64.
• 2) 清水啓三:第4回新機能素子技術シンポジウム予稿集 (1985) p. 5.
• 3) 関戸健嗣:日本電子部品信頼性センタ会報 11 (1984) 12.
• 4) 槇野文命,西村 純,後川昭雄,高橋慶治:昭和59年度宇宙科学研究所科学衛星シンポジウム予稿集 (1984) p. 5.
• 5) M. G. J. C. Toomay: Aerosp. Am. 22 (1984) 41.

タイトルに関連する用語 (4件)： 放射線 ,  強化 ,  研究 ,  現状