Si(100)上のエピタキシャルNiSi<sub>2</sub>界面におけるSchottky障壁の不均一性

TUNG R T; LEVI A F J; SULLIVAN J P; SCHREY F

文献

J-GLOBAL ID：200902045000340885 整理番号：91A0229919

Si(100)上のエピタキシャルNiSi₂界面におけるSchottky障壁の不均一性

Schottky-barrier inhomogeneity at eqitaxial NiSi₂ interfaces on Si(100).

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資料名：
巻： 66 号： 1 ページ： 72-75 発行年： 1991年01月07日
JST資料番号： H0070A ISSN： 0031-9007 CODEN： PRLTAO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

表題のSchottky障壁の高さが,界面の形態に強く依存する...

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半導体-金属接触【’81~’92】

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Si(100)上のエピタキシャルNiSi2界面におけるSchottky障壁の不均一性

Si(100)上のエピタキシャルNiSi₂界面におけるSchottky障壁の不均一性