Ar/SiH<sub>4</sub>容量結合型高周波(RF)放電におけるパワー付与機構

KUSHNER M J

文献

J-GLOBAL ID：200902045052684701 整理番号：86A0253801

Ar/SiH₄容量結合型高周波(RF)放電におけるパワー付与機構

Mechanisms for power deposition in Ar/SiH₄ capacitively coupled RF discharges.

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資料名：
巻： 14 号： 2 ページ： 188-196 発行年： 1986年04月
JST資料番号： D0036B ISSN： 0093-3813 CODEN： ITPSBD 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

低圧容量結合平行平板高周波放電において,パワー付与および電子...

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気体放電

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Ar/SiH4容量結合型高周波(RF)放電におけるパワー付与機構

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