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J-GLOBAL ID：200902045206777651   整理番号：92A0206213

エチルイミドタンタル錯体からの窒化タンタル薄膜の堆積

Deposition of tantalum nitride thin films from ethylimidotantalum complex.

著者 (2件)： CHIU H-T (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHANG W-P (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： Journal of Materials Science Letters  (Journal of Materials Science Letters)
巻： 11  号： 2  ページ： 96-98  発行年： 1992年01月15日 
JST資料番号： D0919B  ISSN： 0261-8028  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超LSIの拡散障壁とゲートに適用するために低圧化学気相成長(...

シソーラス用語： タンタル化合物 ,...
準シソーラス用語： 窒化タンタル

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分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： イミド ,  タンタル錯体 ,  窒化タンタル ,  薄膜 ,  堆積