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J-GLOBAL ID：200902045385512843   整理番号：87A0163483

MOCVD選択成長で作ったInGaAlPの横モード安定化可視レーザダイオード

InGaAlP transverse mode stabilized visible laser diodes fabricated by MOCVD selective growth.

著者 (7件)： ISHIKAWA M (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  OHBA Y (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  WATANABE Y (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  NAGASAKA H (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  SUGAWARA H (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  YAMAMOTO M (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  HATAKOSHI G (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名： Extended Abstracts of the 18th (1986 International) Conference on Solid State Devices and Materials  (Extended Abstracts of the 18th (1986 International) Conference on Solid State Devices and Materials)
ページ： 153-156  発行年： 1986年 
JST資料番号： K19860706  ISBN： 4-930813-14-X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい導波路構造を持つ横モード安定化可視レーザを作った。Ga...

シソーラス用語： MOCVD ,...

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分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N)

タイトルに関連する用語 (6件)： MOCVD ,  選択成長 ,  横モード ,  安定化 ,  可視レーザ ,  ダイオード