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J-GLOBAL ID：200902046171152455   整理番号：85A0363690

イオン注入におけるウエハ充電とビーム相互作用

Wafer charging and beam interactions in ion implantation.

著者 (9件)： MACK M E (EATON Corp., Massachusetts) ,  RYDING G (EATON Corp., Massachusetts) ,  DOUGLAS-HAMILTON D H (EATON Corp., Massachusetts) ,  STEEPLES K (EATON Corp., Massachusetts) ,  FARLEY M (EATON Corp., Massachusetts) ,  GILLIS V (EATON Corp., Massachusetts) ,  WHITE N (EATON Corp., Massachusetts) ,  WITTKOWER A (Zymet Corp., Massachusetts) ,  LAMBRACHT R (Digital Equipment Corp., Massachusetts)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 6  号： 1/2  ページ： 405-411  発行年： 1985年01月 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 絶縁層へのイオン注入は表面電荷の蓄積を引き起すが,電荷が過剰...

シソーラス用語： イオン注入 ,...
準シソーラス用語： 電子フラッディング

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分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： イオン注入 ,  ウエハ ,  充電 ,  ビーム ,  相互作用