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J-GLOBAL ID：200902048119520449   整理番号：87A0405294

オプトエレクトロニク集積回路のための半絶縁GaAs基板内に作られた平面TJS(transverse junction stripe)レーザ

Planar TJS lasers fabricated in semi-insulating GaAs substrates for optoelectronic integrated circuits.

著者 (6件)： ISHII M (Optoelectronics Joint Research Lab., Kawasaki, JPN) ,  KAMON K (Optoelectronics Joint Research Lab., Kawasaki, JPN) ,  SHIMAZU M (Optoelectronics Joint Research Lab., Kawasaki, JPN) ,  MIHARA M (Optoelectronics Joint Research Lab., Kawasaki, JPN) ,  KUMABE H (Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN) ,  ISSHIKI K (Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 23  号： 5  ページ： 179-181  発行年： 1987年02月26日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半絶縁GaAs基板内に逆メサエッチ形のGaAs-AlGaAs...

シソーラス用語： 光集積回路 ,...

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分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  光集積回路,集積光学  (BD06050D)

タイトルに関連する用語 (4件)： 集積回路 ,  半絶縁 ,  GaAs基板 ,  レーザ