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J-GLOBAL ID：200902048123352836   整理番号：93A0380555

ストレインドシリコン/リラックスドシリコン-ゲルマニウム構造により作られたNMOSとPMOSトランジスタ

NMOS and PMOS Transistors Fabricated in Strained Silicon/Relaxed Silicon-Germanium Structures.

著者 (3件)： WELSER J (Solid State Electronics Lab., CA) ,  HOYT J L (Solid State Electronics Lab., CA) ,  GIBBONS J F (Solid State Electronics Lab., CA)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1992  ページ： 1000-1002  発行年： 1992年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： リラックスドSi_1-xGe<sub>x...

シソーラス用語： MOSFET ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： ゲルマニウム ,  NMOS ,  PMOSトランジスタ