酸化物でパターンを描いたウエハのAr/H<sub>2</sub>プラズマスパッタによる低温においたままの表面清浄化

YEW T-R; REIF R

文献

J-GLOBAL ID：200902048674643971 整理番号：91A0154646

酸化物でパターンを描いたウエハのAr/H₂プラズマスパッタによる低温においたままの表面清浄化

Low-temperature in situ surface cleaning of oxide-patterned wafers by Ar/H₂ plasma sputter.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=91A0154646&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=91A0154646&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

著者 (2件)： ,
資料名：
巻： 68 号： 9 ページ： 4681-4693 発行年： 1990年11月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記のSiウエハの露出Si面に高品質エピタキシャル層をなるべ...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=91A0154646&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

半導体薄膜 , プラズマ応用 , 固体デバイス製造技術一般

, , , , , , ,

前のページに戻る

酸化物でパターンを描いたウエハのAr/H2プラズマスパッタによる低温においたままの表面清浄化

酸化物でパターンを描いたウエハのAr/H₂プラズマスパッタによる低温においたままの表面清浄化