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J-GLOBAL ID：200902049541547526   整理番号：92A0229069

導電性・絶縁性材料と半導体とのヘテロエピタキシャル成長

Heteroepitaxial growth of conductive and insulating films on semiconductor substrates.

著者 (2件)： 石原宏 (東京工大 精密工研) ,  古川静二郎 (東京工大 大学院 総合理工学研究科)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 61  号： 2  ページ： 104-116  発行年： 1992年02月 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体基板上への導電性・絶縁性薄膜のエピタキシャル成長技術,...

シソーラス用語： ケイ素 ,...
準シソーラス用語： パーミアブルトランジスタ

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分類 (4件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体-金属接触【’81~’92】  (BM03073E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (134件)：

• TUNG, R. T. Silicon Molecular Beam Epitaxy. 1988, 2, 13
• TUNG, R. T. Atomic Level Properties of Interface Materials
• PHILLIPS, J. M. Silicon Molecular Beam Epitaxy. 1988, 1, 135
• 古川静二郎. SOI構造形成技術. 1987
• FURUKAWA, S. Proc. Int. Conf. Solid State Devices, Tokyo, 1982. Jpn. J. Appl. Phys. 1983, 22 Suppl. 22-1, 21

タイトルに関連する用語 (3件)： 導電性 ,  絶縁性材料 ,  成長