CdTe層のMOVPE成長におけるヒ素取込みの機構

文献

J-GLOBAL ID：200902049547775830 整理番号：92A0316843

Mechanism of arsenic incorporation in MOVPE growth of CdTe layers.

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資料名：
巻： 117 号： 1/4 ページ： 254-258 発行年： 1992年02月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

常圧有機金属気相エピタクシーにより成長させたCdTe層におけ...

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半導体薄膜 , 固体デバイス材料

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