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J-GLOBAL ID:200902049547775830   整理番号:92A0316843

CdTe層のMOVPE成長におけるヒ素取込みの機構

Mechanism of arsenic incorporation in MOVPE growth of CdTe layers.
著者 (6件):
資料名:
巻: 117  号: 1/4  ページ: 254-258  発行年: 1992年02月 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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常圧有機金属気相エピタクシーにより成長させたCdTe層におけ...
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分類 (2件):
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半導体薄膜  ,  固体デバイス材料 
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