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J-GLOBAL ID：200902050019471208   整理番号：88A0419892

XPSおよびAESにより研究したSi(111)上に形成されたSiO_xあるいはSiO₂とNiとの相互作用ならびにNi/SiO_x/n-Si(111)におけるCO吸着妨害

Interaction of Ni with SiO_x or SiO₂ formed on Si(111) and CO adsorption inhibition in Ni/SiO_x/n-Si(111) studied by XPS and AES.

著者 (3件)： ASAKAWA T (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  TANAKA K (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  TOYOSHIMA I (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： Langmuir  (Langmuir)
巻： 4  号： 3  ページ： 521-526  発行年： 1988年05月 
JST資料番号： A0231B  ISSN： 0743-7463  CODEN： LANGD5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題についてNi被覆率の関数としてX線光電子分光法およびAu...

シソーラス用語： 酸化ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (9件)： XPS ,  AES ,  研究 ,  Si ,  SiO2 ,  Ni ,  相互作用 ,  CO吸着 ,  妨害