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J-GLOBAL ID：200902050542378475   整理番号：90A0294433

Si(111)表面の理想的水素終端

Ideal hydrogen termination of the Si(111) surface.

著者 (4件)： HIGASHI G S (AT&T Bell Lab., New Jersey) ,  CHABAL Y J (AT&T Bell Lab., New Jersey) ,  TRUCKS G W (AT&T Bell Lab., New Jersey) ,  RAGHAVACHARI K (AT&T Bell Lab., New Jersey)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 56  号： 7  ページ： 656-658  発行年： 1990年02月12日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン表面の水成HFエッチングは表面酸素の除去となり,原子...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (2件)： Si ,  水素終端