電子線照射によるCaF<sub>2</sub>表面欠陥の形成とヘテロエピタキシー

文献

J-GLOBAL ID：200902050917052335 整理番号：88A0459152

電子線照射によるCaF₂表面欠陥の形成とヘテロエピタキシー

Electron beam induced defect creation on CaF₂ surfaces and its application to heteroepitaxy.

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巻： 23 号： 4 ページ： 273-280 発行年： 1988年04月
JST資料番号： F0158B ISSN： 0454-4544 CODEN： KOTBA2 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：解説発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

CaF₂表面上への半導体のエピタキシャ...

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その他の物質の放射線による構造と物性の変化 , 金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】

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