金属有機気相エピタクシーで成長したGa<sub>0.5</sub>In<sub>0.5</sub>Pにおける秩序状態の存在の証拠およびそのバンドギャップエネルギーとの関係

GOMYO A; SUZUKI T; KOBAYASHI K; KAWATA S; HINO I; YUASA T

文献

J-GLOBAL ID：200902051277223550 整理番号：87A0253320

金属有機気相エピタクシーで成長したGa_0.5In_0.5Pにおける秩序状態の存在の証拠およびそのバンドギャップエネルギーとの関係

Evidence for the existence of an ordered state in Ga_0.5 In_0.5 P grown by metalorganic vapor phase epitaxy and its relation to band-gap energy.

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資料名：
巻： 50 号： 11 ページ： 673-675 発行年： 1987年03月16日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

(001)GaAsに格子整合した標記化合物のバンドギャップE...

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半導体-半導体接触【’81~’92】 , 半導体結晶の電子構造

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金属有機気相エピタクシーで成長したGa0.5In0.5Pにおける秩序状態の存在の証拠およびそのバンドギャップエネルギーとの関係

金属有機気相エピタクシーで成長したGa_0.5In_0.5Pにおける秩序状態の存在の証拠およびそのバンドギャップエネルギーとの関係