GaAsおよびAlAsの分子ビームエピタキシャル成長での反射差分光法の利用

ASPNES D E; HARBISON J P; STUDNA A A; FLOREZ L T

文献

J-GLOBAL ID：200902053243489561 整理番号：88A0558489

GaAsおよびAlAsの分子ビームエピタキシャル成長での反射差分光法の利用

Application of reflectance difference spectroscopy to molecular-beam epitaxy growth of GaAs and AlAs.

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資料名：
巻： 6 号： 3 Pt.2 ページ： 1327-1332 発行年： 1988年05月
JST資料番号： C0789B ISSN： 0734-2101 CODEN： JVTAD6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

成長模の結晶主軸に対して平行と垂直に偏った光の反射の差を光子...

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半導体薄膜 , 半導体の表面構造

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