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J-GLOBAL ID：200902053800287195   整理番号：89A0436633

シリコン-オン-サファイアおよびサファイア基板に堆積したGaAsのヘテロエピタキシャル成長と特性評価

Heteroepitaxial growth and characterization of GaAs on silicon-on-sapphire and sapphire substrates.

著者 (8件)： HUMPHREYS T P (Bell-Northern Research Ltd., Ontario, CAN) ,  MINER C J (Bell-Northern Research Ltd., Ontario, CAN) ,  POSTHILL J B (Research Triangle Inst., NC, USA) ,  DAS K (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  SUMMERVILLE M K (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  NEMANICH R J (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  SUKOW C A (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  PARIKH N R (Univ. North Carolina, NC, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 54  号： 17  ページ： 1687-1689  発行年： 1989年04月24日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SOSおよび(1012)α-Al₂O<...

シソーラス用語： SOS構造 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： シリコン ,  サファイア ,  サファイア基板 ,  堆積 ,  GaAs ,  成長 ,  特性評価