rfスパッタリングで作製したSiO<sub>2</sub>がラス薄膜にドープされた半導体微結晶の量子サイズ効果

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J-GLOBAL ID：200902054263969558 整理番号：90A0019696

rfスパッタリングで作製したSiO₂がラス薄膜にドープされた半導体微結晶の量子サイズ効果

Quantum size effect of semiconductor microcrystallites doped in SiO₂-glass thin films prepared by Rf-sputtering.

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資料名：
巻： 28 号： 10 ページ： 1928-1933 発行年： 1989年10月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

マグネトロンrfスパッタによってCdTe,CdSe,GaAs...

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その他の無機化合物の薄膜 , 半導体の可視・紫外スペクトル

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