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J-GLOBAL ID：200902054302469738   整理番号：86A0278832

ハロゲンランプ焼きなましで得た,AlGaAs/GaAs及びIn_0.52Al_0.48As/In_0.53Ga_0.47As変調ドープ構造への低抵抗Ohm接触

Low-resistance Ohmic contacts to AlGaAs/GaAs and In_0.52Al_0.48As/In_0.53Ga_0.47As modulation-doped structures obtained by halogen lamp annealing.

著者 (4件)： HONG W-P (Univ. Michigan) ,  SEO K S (Univ. Michigan) ,  BHATTACHARYA P K (Univ. Michigan) ,  LEE H (ITT, VA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 7  号： 5  ページ： 320-323  発行年： 1986年05月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ハロゲンランプで短時間照らす焼きなましで,標題の変調ドープ構...

シソーラス用語： ハロゲン電球 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： ハロゲンランプ ,  焼きなまし ,  AlGaAs ,  GaAs ,  低抵抗 ,  Ohm接触