文献

J-GLOBAL ID：200902054710920529   整理番号：85A0392586

GaAsP-InGaAsひずみ層超格子利用によるGaAsエピタキシャル層の欠陥低減

Defect reduction in GaAs epitaxial layers using a GaAsP-InGaAs strainedlayer superlattice.

著者 (4件)： TISCHLER M A (North Carolina State Univ.) ,  KATSUYAMA T (North Carolina State Univ.) ,  EL-MASRY N A (North Carolina State Univ.) ,  BEDAIR S M (North Carolina State Univ.)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 46  号： 3  ページ： 294-296  発行年： 1985年02月01日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAsに格子整合して成長した標題超格子を利用し,GaAs基...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=85A0392586&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAsP ,  InGaAs ,  ひずみ層超格子 ,  GaAs ,  エピタキシャル層 ,  欠陥