レーザ物理蒸着による(100)シリコン基板上へのTiN膜のエピタキシャル成長

NARAYAN J; TIWARI P; CHEN X; SINGH J; CHOWDHURY R; ZHELEVA T

文献

J-GLOBAL ID：200902055807392710 整理番号：92A0752445

レーザ物理蒸着による(100)シリコン基板上へのTiN膜のエピタキシャル成長

Epitaxial growth of TiN films on (100) silicon substrates by laser physical vapor deposition.

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資料名：
巻： 61 号： 11 ページ： 1290-1292 発行年： 1992年09月14日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

(100)Si基板上にパルスレーザ蒸着法により低抵抗TiN膜...

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その他の無機化合物の薄膜

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