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J-GLOBAL ID：200902056677928058   整理番号：91A0936875

InP上の窒化ほう素ゲート絶縁膜のプラズマ増強化学蒸着と特性評価

Plasma enhanced chemical vapor deposition and characterization of boron nitride gate insulators on InP.

著者 (5件)： BATH A (Univ. Metz, Metz, FRA) ,  VAN DER PUT P J (Delft Univ., Delft, NLD) ,  BECHT J G M (Delft Univ., Delft, NLD) ,  SCHOONMAN J (Delft Univ., Delft, NLD) ,  LEPLEY B
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 70  号： 8  ページ： 4366-4370  発行年： 1991年10月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InPに対するゲート絶縁膜としてプラズマ増速CVD法によって...

シソーラス用語： リン化インジウム ,...
準シソーラス用語： 禁止帯

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： InP ,  窒化ほう素 ,  ゲート絶縁膜 ,  プラズマ増強化学蒸着 ,  特性評価