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J-GLOBAL ID:200902057465294187   整理番号:90A0348430

直接書込み集束イオンビームを利用して製作した面内ゲート量子細線トランジスタ

In-plane-gated quantum wire transistor fabricated with directly written focused ion beams.
著者 (2件):
資料名:
巻: 56  号: 10  ページ: 928-930  発行年: 1990年03月05日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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導電チャネルとゲートを同一面内の二次元電子ガスで形成した標記...
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分類 (2件):
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半導体-半導体接触【’81~’92】  ,  トランジスタ 

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