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J-GLOBAL ID：200902057465294187   整理番号：90A0348430

直接書込み集束イオンビームを利用して製作した面内ゲート量子細線トランジスタ

In-plane-gated quantum wire transistor fabricated with directly written focused ion beams.

著者 (2件)： WIECK A D (Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Stuttgart, DEU) ,  PLOOG K (Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Stuttgart, DEU)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 56  号： 10  ページ： 928-930  発行年： 1990年03月05日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 導電チャネルとゲートを同一面内の二次元電子ガスで形成した標記...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...

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分類 (2件)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 直接書込み ,  集束イオンビーム ,  製作 ,  ゲート ,  量子細線 ,  トランジスタ