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J-GLOBAL ID：200902057783641430   整理番号：92A0225433

SiCに対する光電気化学的伝導性選択エッチングストッパ

Photoelectrochemical conductivity selective etch stops for SiC.
著者 (3件)：
SHOR J S

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(Columbia Univ., New York)

Columbia Univ., New York について

, 
OSGOOD R M

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(Columbia Univ., New York)

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, 
KURTZ A D

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(Kulite Semiconductor Products, Inc., New Jersey)

Kulite Semiconductor Products, Inc., New Jersey について


資料名：
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

Applied Physics Letters について


巻： 60  号： 8  ページ： 1001-1003  発行年： 1992年02月24日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
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SiCの光電気化学的選択エッチングについて研究した。試料とし...
シソーラス用語：
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N型半導体

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分類 (2件)：
分類
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固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

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(BA02070O)

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タイトルに関連する用語 (3件)：
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SiC

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光電気化学

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