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J-GLOBAL ID：200902058577231273   整理番号：89A0311835

高温超伝導体薄膜のエピタキシャル成長のための低損失基板

Low-loss substrate for epitaxial growth of high-temperature superconductor thin films.

著者 (8件)： SIMON R W (TRW Space & Technology Group, CA, USA) ,  PLATT C E (TRW Space & Technology Group, CA, USA) ,  LEE A E (TRW Space & Technology Group, CA, USA) ,  LEE G S (TRW Space & Technology Group, CA, USA) ,  DALY K P (TRW Space & Technology Group, CA, USA) ,  WIRE M S (TRW Space & Technology Group, CA, USA) ,  LUINE J A (TRW Space & Technology Group, CA, USA) ,  URBANIK M (Commercial Crystal Lab., Inc., FL, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 53  号： 26  ページ： 2677-2679  発行年： 1988年12月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1-2-3超伝導体膜のエピタキシャル成長を同時に可能にし,か...

シソーラス用語： エピタクシー ,...
準シソーラス用語： ペロブスカイト型構造

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分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  超伝導状態の性質一般【’81~’92】  (BM04020J) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (3件)： 超伝導体薄膜 ,  エピタキシャル成長 ,  低損失