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J-GLOBAL ID：200902059191143791   整理番号：92A0822351

LPCVD法で作製した3C-SiC薄膜のESR (II)

ESR of 3C-SiC Films Prepared by LPCVD Method. (II).

著者 (4件)： 外崎浩司 (東海大 工) ,  和泉富雄 (東海大 工) ,  長沢弘幸 (HOYA 材料研) ,  山口洋一 (HOYA 材料研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 53rd  号： 1  ページ： 206  発行年： 1992年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (5件)： LPCVD ,  作製 ,  3C-SiC ,  薄膜 ,  ESR