メルト表面を被覆したフローティングゾーン法による成長じまのないSi結晶

文献

J-GLOBAL ID：200902059291257808 整理番号：85A0340816

Striation-free silicon crystals by float-zoning with surface-coated melt.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=85A0340816&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=85A0340816&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0942A") }}

著者 (2件)： ,
資料名：
巻： 71 号： 1 ページ： 249-252 発行年： 1985年01月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

標記FZ結晶中には通常成長じまと呼ばれるドーパントの不均一性...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=85A0340816&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0942A") }}

半導体の結晶成長 , 半導体の格子欠陥

, , ,

前のページに戻る