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J-GLOBAL ID：200902059499847331   整理番号：84A0310566

化学蒸着したSi膜における応力

Stress in chemically vapour-deposited silicon films.
著者 (2件)：
ADAMCZEWSKA J

ADAMCZEWSKA J について

(Inst. Electron Technology, Warsaw)

Inst. Electron Technology, Warsaw について

, 
BUDZY<span style=text-decoration:overline>N ́</span>SKI T

BUDZY<span style=text-decoration:overline>N ́</span>SKI T について

(Inst. Electron Technology, Warsaw)

Inst. Electron Technology, Warsaw について


資料名：
Thin Solid Films  (Thin Solid Films)

Thin Solid Films について


巻： 113  号： 4  ページ： 271-285  発行年： 1984年03月30日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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X線回折により測定した標題応力が圧縮応力であり,膜の構造およ...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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化学蒸着

化学蒸着 について

,...
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シソーラス用語/準シソーラス用語
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CVD

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分類 (2件)：
分類
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半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

,  固体の機械的性質一般 
(BL01021C)

固体の機械的性質一般 について

タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
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化学蒸着

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, 
Si膜

Si膜 について

, 
応力

応力 について


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