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J-GLOBAL ID：200902060949305354   整理番号：84A0136237

MOSトランジスタにおける電荷ポンピング測定の信頼できる近似

A reliable approach to charge-pumping measurements in MOS transistors.

著者 (4件)： GROESENEKEN G (Katholieke Univ. Leuven, Belgium) ,  MAES H E (Katholieke Univ. Leuven, Belgium) ,  BELTR<span style=text-decoration:overline>A ́</span>N N (Katholieke Univ. Leuven, Belgium) ,  DE KEERSMAECKER R F (Katholieke Univ. Leuven, Belgium)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 31  号： 1  ページ： 42-53  発行年： 1984年01月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOSトランジスタ上Si-SiO₂界面...

シソーラス用語： MOSFET ,...
準シソーラス用語： 価電子帯 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： MOSトランジスタ ,  電荷ポンピング ,  信頼 ,  近似