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J-GLOBAL ID：200902061586943597   整理番号：86A0309960

強誘電性高分子薄膜をゲート絶縁体に使用した金属-絶縁体-半導体(MIS)素子

A metal-insulator-semiconductor (MIS) device using a ferroelectric polymer thin film in the gate insulator.
著者 (1件)：
YAMAUCHI N

YAMAUCHI N について

(Electrical Communications Lab., Tokai-mura)

Electrical Communications Lab., Tokai-mura について


資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)

Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers について


巻： 25  号： 4  ページ： 590-594  発行年： 1986年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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不揮発性MISメモリ素子のゲート電極で,強誘電性高分子膜を二...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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ポリフッ化ビニリデン

ポリフッ化ビニリデン について

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準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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ポリハロゲン化合物

ポリハロゲン化合物 について

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分類 (2件)：
分類
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金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】 
(BM03074V)

金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】 について

,  トランジスタ 
(NC03070N)

トランジスタ について

タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
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強誘電性

強誘電性 について

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高分子薄膜

高分子薄膜 について

, 
ゲート絶縁体

ゲート絶縁体 について

, 
絶縁体

絶縁体 について

, 
MIS

MIS について


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