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J-GLOBAL ID：200902061722580991   整理番号：84A0329940

分子線エピタクシャル成長法によるGe_xSi_1-x/Siひずみ層超格子ひずみ

Ge_xSi_1-x/Si strained-layer superlattice grown by molecular beam epitaxy.

著者 (5件)： BEAN J C (AT&T, New Jersey) ,  FELDMAN L C (AT&T, New Jersey) ,  FIORY A T (AT&T, New Jersey) ,  NAKAHARA S (AT&T, New Jersey) ,  ROBINSON I K (AT&T, New Jersey)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 2  号： 2 Pt 1  ページ： 436-440  発行年： 1984年04月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si基板にGe_xSi<sub>1-x<...

シソーラス用語： 分子ビーム ,...
準シソーラス用語： MBE ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 分子線エピタクシャル成長法 ,  Si ,  ひずみ層超格子 ,  ひずみ