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J-GLOBAL ID：200902062507593582   整理番号：90A0891146

プラズマプロセスによるSiO₂/Siの照射損傷

Radiation damage of SiO₂/Si by plasma processing.

著者 (3件)： 水谷巽 (日立 中研) ,  湯之上隆 (日立 中研) ,  横川賢悦 (日立 中研)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 59  号： 11  ページ： 1496-1501  発行年： 1990年11月 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： プラズマプロセスで試料に入射するイオン,中性粒子,真空紫外線...

シソーラス用語： プラズマエッチング ,...

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分類 (4件)： 金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  プラズマ応用  (BJ02110K)

引用文献 (21件)：

• 1) T. Watanabe and Y. Yosida: Solid State Technol. 27 (1984) 263.
• 2) K. Tsunokuni, K. Nojiri, S. Kuboshima and K. Hirobe: Ext. Abstr. 19th Conf. Solid State Devices and Materials, Tokyo, 1987 (日本学会事務センター, 1987) p. 195.
• 3) T. Mizutani and T. Yunogami: Jpn. J. Appl. Phys. 掲載予定.
• 4) C. Kunz: Synchrotron Radiation Techniques and Application (Springer-Verlag, New York, 1979) p. 101.
• 5) T. Mizutani and S. Nishimatsu: J. Vac. Sci. & Technol. B 7 (1989) 547.

タイトルに関連する用語 (4件)： プラズマプロセス ,  SiO2 ,  Si ,  照射損傷