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J-GLOBAL ID：200902062715605870   整理番号：91A0285654

ゲート品質のSi/SiO₂界面を低温で作るための希釈酸素/ヘリウムプラズマ中のSiの低速プラズマ酸化

Low-rate plasma oxidation of Si in a dilute oxygen/helium plasma for low-temperature gate quality Si/SiO₂ interfaces.

著者 (3件)： BRIGHT A A (IBM Research Division, New York) ,  BATEY J (IBM Research Division, New York) ,  TIERNEY E (IBM Research Division, New York)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 58  号： 6  ページ： 619-621  発行年： 1991年02月11日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低プロセス温度(~350°C),低パワーHeプラズマ中の低い酸...

シソーラス用語： ゲート【半導体】 ,...

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (10件)： ゲート ,  Si ,  SiO2 ,  界面 ,  低温 ,  希釈 ,  酸素 ,  ヘリウムプラズマ ,  低速 ,  プラズマ酸化