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J-GLOBAL ID：200902062912392985   整理番号：91A0069456

銅とシリコンの拡散障壁としてのタンタル

Tantalum as a diffusion barrier between copper and silicon.

著者 (2件)： HOLLOWAY K (IBM, T.J. Watson Research Center, New York) ,  FRYER P M (IBM, T.J. Watson Research Center, New York)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 57  号： 17  ページ： 1736-1738  発行年： 1990年10月22日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cuに対する拡散障壁としてのTa薄層の有効性と破壊機構を調べ...

シソーラス用語： 金属薄膜 ,...

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分類 (3件)： 半導体-金属接触【’81~’92】  (BM03073E) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 銅 ,  シリコン ,  拡散障壁 ,  タンタル