透明導電膜形成用スパッタリングターゲットの開発(3) 低温成膜用ITOターゲットの開発

文献

J-GLOBAL ID：200902063822184034 整理番号：92A0599176

Studies on Sputtering Characteristics of ITO Target.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=92A0599176&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=92A0599176&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0529A") }}

著者 (3件)： , ,
資料名：
巻： 36 号： 2 ページ： 153-159 発行年： 1992年07月
JST資料番号： F0529A ISSN： 0914-3106 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

ITOターゲットを用いてDCマグネトロンスパッタ法によりIT...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=92A0599176&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0529A") }}

酸化物薄膜 , 固体デバイス材料

, , , , , ,

前のページに戻る