二段階遠隔プラズマ支援酸化-堆積によるSiO<sub>2</sub>/Si(100)界面の低温作製

YASUDA T; MA Y; HABERMEHL S; LUCOVSKY G

文献

J-GLOBAL ID：200902063970517786 整理番号：92A0163508

二段階遠隔プラズマ支援酸化-堆積によるSiO₂/Si(100)界面の低温作製

Low-temperature preparation of SiO₂/Si(100) interfaces using a two-step remote plasma-assisted oxidation-deposition process.

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巻： 60 号： 4 ページ： 434-436 発行年： 1992年01月27日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

デバイス品質のSiO₂/Si(100)...

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金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】 , 酸化物薄膜

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二段階遠隔プラズマ支援酸化-堆積によるSiO2/Si(100)界面の低温作製

二段階遠隔プラズマ支援酸化-堆積によるSiO₂/Si(100)界面の低温作製