エピタキシャル半導体Ramanレーザの特性

SUTO K; NISHIZAWA J

文献

J-GLOBAL ID：200902064088196724 整理番号：87A0011633

エピタキシャル半導体Ramanレーザの特性

Characteristics of the epitaxial semiconductor Raman laser.

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資料名：
巻： 133 号： 4 ページ： 259-263 発行年： 1986年08月
JST資料番号： B0058D ISSN： 0267-3932 CODEN： IPJOEE 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

エピタキシャル成長GaP膜の両端に反射膜を直接コーティングし...

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半導体レーザ

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