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J-GLOBAL ID：200902064295500514   整理番号：89A0132291

圧痕および侵食技術による半導体材料の硬さと破壊靭性

Hardness and fracture toughness of semiconducting materials studied by indentation and erosion techniques.

著者 (3件)： ERICSON F (Uppsala Univ., Uppsala, SWE) ,  JOHANSSON S (Uppsala Univ., Uppsala, SWE) ,  SCHWEITZ J-A (Uppsala Univ., Uppsala, SWE)
資料名： Materials Science & Engineering. A. Structural Materials: Properties, Microstructure and Processing  (Materials Science & Engineering. A. Structural Materials: Properties, Microstructure and Processing)
巻： 105/106  号： Pt.1  ページ： 131-141  発行年： 1988年11月 
JST資料番号： D0589B  ISSN： 0921-5093  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si,Ge,GaAs,InP,InAsの5材料について微小硬...

シソーラス用語： 半導体材料 ,...

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分類 (2件)： その他の材料  (HC04050S) ,  固体の表面構造一般  (BK15010E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 圧痕 ,  侵食 ,  半導体材料 ,  破壊靭性