常圧MOVPEで成長させた低しきい値(0.8kA/cm<sup>2</sup>)InGaAsP/InP DH1.5μmレーザ

DEVLIN W J; SIDHU J; COLE S; HARLOW M; WESTBROOK L D; NELSON A W; REGNAULT J C

文献

J-GLOBAL ID：200902064376097358 整理番号：87A0050147

常圧MOVPEで成長させた低しきい値(0.8kA/cm²)InGaAsP/InP DH1.5μmレーザ

Very low-threshold (0.8kA/cm²) InGaAsP/InP DH 1.5μm lasers grown by atmospheric MOVPE.

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資料名：
巻： 22 号： 11 ページ： 584-585 発行年： 1986年05月22日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

キャビティ長1mm,低しきい値電流密度(0.8kA/cm<s...

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半導体レーザ

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常圧MOVPEで成長させた低しきい値(0.8kA/cm2)InGaAsP/InP DH1.5μmレーザ

常圧MOVPEで成長させた低しきい値(0.8kA/cm²)InGaAsP/InP DH1.5μmレーザ