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J-GLOBAL ID：200902064812386123   整理番号：89A0123095

GaP:(N,Bi)の光ルミネセンスにおよぼす等電子ドーバンドと励起速度の影響

Influence of the isoelectronic dopants and of the excitation rate on the photoluminescence of GaP:(N, Bi).

著者 (7件)： JIANG B (Xiamen Univ., Xiamen, CHN) ,  LIU X (Xiamen Univ., Xiamen, CHN) ,  LIN X (Xiamen Univ., Xiamen, CHN) ,  WANG N (Anhui Inst. Optics and Fine Mechanics, Hefei, CHN) ,  CHEN J (Anhui Inst. Optics and Fine Mechanics, Hefei, CHN) ,  YANG S (Anhui Inst. Optics and Fine Mechanics, Hefei, CHN) ,  YIE L (Anhui Inst. Optics and Fine Mechanics, Hefei, CHN)
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 68  号： 9  ページ： 853-858  発行年： 1988年12月 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： N,NN_i束縛励起子及びBi束縛励起子...

シソーラス用語： リン化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： GAP ,  Bi ,  光ルミネセンス ,  励起