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J-GLOBAL ID：200902065188168929   整理番号：88A0379804

O₂⁺とCs⁺のイオン衝撃過程での表面形状変化によるSiおよびGaAsの二次イオン収率変化

Secondary ion yield changes in Si and GaAs due to topography changes during O₂⁺ or Cs⁺ ion bombardment.

著者 (4件)： STEVIE F A (AT&T Bell Lab., PA, USA) ,  KAHORA P M (AT&T Bell Lab., PA, USA) ,  SIMONS D S (National Bureau of Standards, MD, USA) ,  CHI P (National Bureau of Standards, MD, USA)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 6  号： 1  ページ： 76-80  発行年： 1988年01月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (100)Siウエハを6keVのO₂<...

シソーラス用語： 二次イオン質量分析 ,...

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分類 (3件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  イオン放出  (BM09070V) ,  質量分析  (CC03013N)

タイトルに関連する用語 (6件)： イオン衝撃 ,  過程 ,  表面形状 ,  Si ,  GaAs ,  イオン収率