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J-GLOBAL ID:200902065188168929   整理番号:88A0379804

O2+とCs+のイオン衝撃過程での表面形状変化によるSiおよびGaAsの二次イオン収率変化

Secondary ion yield changes in Si and GaAs due to topography changes during O2+ or Cs+ ion bombardment.
著者 (4件):
資料名:
巻:号:ページ: 76-80  発行年: 1988年01月 
JST資料番号: C0789B  ISSN: 0734-2101  CODEN: JVTAD6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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分類 (3件):
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半導体の放射線による構造と物性の変化  ,  イオン放出  ,  質量分析 

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