文献
J-GLOBAL ID：200902065222588185   整理番号：86A0541922

p-p-およびn-s.i.-In0.53Ga0.47As/InPヘテロ構造のCV特性

CV profiling on p-p- and n-s.i.-In0.53Ga0.47As/InP heterointerfaces.
著者 (7件)：
STEINER K

STEINER K について

(Univ. Duisburg, Fed. Rep. of Germany)

Univ. Duisburg, Fed. Rep. of Germany について

, 
SCHMITT R

SCHMITT R について

(Univ. Duisburg, Fed. Rep. of Germany)

Univ. Duisburg, Fed. Rep. of Germany について

, 
ZULEEG R

ZULEEG R について

(Univ. Duisburg, Fed. Rep. of Germany)

Univ. Duisburg, Fed. Rep. of Germany について

, 
KAUFMANN L M F

KAUFMANN L M F について

(Univ. Duisburg, Fed. Rep. of Germany)

Univ. Duisburg, Fed. Rep. of Germany について

, 
HEIME K

HEIME K について

(Univ. Duisburg, Fed. Rep. of Germany)

Univ. Duisburg, Fed. Rep. of Germany について

, 
KUPHAL E

KUPHAL E について

(German Post Office, Fed. Rep. of Germany)

German Post Office, Fed. Rep. of Germany について

, 
WOLTER J

WOLTER J について

(Philips, The Netherlands)

Philips, The Netherlands について


資料名：
Surface Science  (Surface Science)

Surface Science について


巻： 174  号： 1/3  ページ： 331-336  発行年： 1986年08月 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
LPE成長した標題のヘテロ構造のCV特性,磁気抵抗を測定。p...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
ヒ化物

ヒ化物 について

,...
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
価電子帯

価電子帯 について

,...
   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=86A0541922&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0129B") }}
分類 (1件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
InP

InP について

, 
ヘテロ構造

ヘテロ構造 について

, 
CV

CV について


前のページに戻る

TOP

BOTTOM