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J-GLOBAL ID：200902065280882450   整理番号：87A0062894

理想的なβ-I_C特性をもったInGaAs/InP二重ヘテロ構造バイポーラトランジスタ

InGaAs/InP double-heterostructure bipolar transistors with near-ideal β versus I_C characteristic.

著者 (5件)： NOTTENBURG R N (Bell Communications Research, NJ, USA) ,  TEMKIN H (AT&T Bell Lab., NJ, USA) ,  PANISH M B (AT&T Bell Lab., NJ, USA) ,  BHAT R (Bell Communications Research, NJ, USA) ,  BISCHOFF J C (Bell Communications Research, NJ, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 7  号： 11  ページ： 643-645  発行年： 1986年11月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MBE(GSMBE)法により電流利得β~630を持った標題の...

シソーラス用語： 二重構造 ,...
準シソーラス用語： コレクタ電流 ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N)

タイトルに関連する用語 (4件)： InGaAs ,  InP ,  ヘテロ構造 ,  バイポーラトランジスタ