犠牲層を介した電子ビーム照射によるSiO<sub>2</sub>の直接ナノメータスケールパターン化

ALLEE D R; BROERS A N

文献

J-GLOBAL ID：200902065414927439 整理番号：91A0119337

犠牲層を介した電子ビーム照射によるSiO₂の直接ナノメータスケールパターン化

Direct nanometer scale patterning of SiO₂ with electron beam irradiation through a sacrificial layer.

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巻： 57 号： 21 ページ： 2271-2273 発行年： 1990年11月19日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

犠牲層を介した電子ビーム露出によりナノメータ規模のパターン化...

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固体デバイス製造技術一般 , 電子ビーム・イオンビームの応用

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犠牲層を介した電子ビーム照射によるSiO2の直接ナノメータスケールパターン化

犠牲層を介した電子ビーム照射によるSiO₂の直接ナノメータスケールパターン化