MOSFET構造の高利得横方向バイポーラ動作

VERDONCKT-VANDEBROEK S; WONG S S; WOO J C S; KO P K

文献

J-GLOBAL ID：200902065431489569 整理番号：91A0879450

MOSFET構造の高利得横方向バイポーラ動作

High-Gain Lateral Bipolar Action in a MOSFET Structure.

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資料名：
巻： 38 号： 11 ページ： 2487-2496 発行年： 1991年11月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標準のサブミクロンCMOS技術を用いて製作された3端子ハイブ...

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トランジスタ

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